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描述
ikw50n60h3
IGBT 晶体管 HIGH SPEED SWITCHING
否
Fairchild Semiconductor
集电极—发射极最大电压
650 V
2.3 V
20 V 在25
150 A
400 nA
187 W
TO-247
Tube
IKW50N60H3
下载资料
Infineon Technologies AG
INFINEON
16
2185 kb
High speed switching series third generation